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退火对提拉法生长Lu₂Si₂O₇∶Ce晶体闪烁性能的影响

冯鹤 , 丁栋舟 , 李焕英 , 陆晟 , 潘尚可 , 陈晓峰 , 张卫东 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01054

Lu₂Si₂O₇∶Ce (LPS∶Ce)表现出较高的光输出, 平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV), 但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS∶Ce晶体进行了不同气氛下的退火, 研究退火条件对LPS∶Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS∶Ce发光效率的提高没有作用, 在空气气氛下退火后可显著提高LPS∶Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较, 确定了提高LPS∶Ce发光效率的最佳退火制度：空气气氛下, 退火温度1400℃, 退火时间根据样品的大小决定, 样品越大, 需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中, LPS∶Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.

关键词: LPS∶Ce晶体 , annealing mechanism , luminescence efficiency , absorption spectrum , emission spectrum